QM200HY-H
Modèle de produit QM200HY-H
Fabricant Mitsubishi
La description IGBT Modules
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Référence fabricant QM200HY-H Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant Mitsubishi Electric Semiconductor La description IGBT Modules
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Modèle de Produit

QM200HY-H

Introduction

Le QM200HY-H est un module transistor conçu pour des applications à haute efficacité.

Marque et Fabricant

Mitsubishi Electric Semiconductor

Caractéristiques

Vitesse de commutation élevée, faible perte de puissance, capacité de haute tension.

Performance du Produit

Gestion thermique efficace, robustesse face aux fluctuations électriques, longue durée de vie en conditions industrielles typiques.

Spécifications Techniques

Type : Module IGBT, Tension collecteur-émetteur : 600V, Courant collecteur : 200A, Dissipation de puissance : PD max.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Module rectangulaire, emballage standard pour l'industrie, encapsulé dans un boîtier thermiquement efficace.

Qualité et Fiabilité

Haute fiabilité dans des conditions extrêmes, conforme aux normes de qualité de l'industrie.

Avantages du Produit

Réduction de la consommation d'énergie, performance améliorée dans les applications haute puissance.

Compétitivité du Produit

Concurrence avec des produits similaires en efficacité et fiabilité, équilibre entre performance et coût.

Compatibilité

Compatible avec des pilotes IGBT standards, flexible pour une intégration dans une large gamme de circuits électroniques.

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux normes internationales en matière de semi-conducteurs.

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une durabilité à long terme, contribue à des applications durables en améliorant l'efficacité énergétique.

Champs d'Application Réels

Systèmes d'énergie renouvelable, commandes de moteur, systèmes de gestion de l'énergie.

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